
Печь для спекания полупроводниковой керамики – это ключевое оборудование для спекания полупроводниковых керамических материалов. Путем точного управления такими параметрами, как температура и атмосфера, она обеспечивает уплотнение керамических заготовок для достижения требуемых физических и химических свойств.
Печь для спекания полупроводниковой керамики – это ключевое оборудование для спекания полупроводниковых керамических материалов. Путем точного управления такими параметрами, как температура и атмосфера, она обеспечивает уплотнение керамических заготовок для достижения требуемых физических и химических свойств.
В печи для спекания полупроводниковой керамики высокие температуры генерируются нагревательными элементами. При прохождении электрического тока через нагревательные элементы возникает джоулево тепло, которое передается образцу посредством излучения и теплопроводности, повышая его температуру до уровня, необходимого для спекания. После выдержки в течение заданного времени температура снижается по запрограммированной кривой, завершая процесс уплотнения. Одновременно с этим система атмосферы/вакуума регулирует условия внутри печи, удовлетворяя требованиям спекания различных полупроводниковых керамических материалов.
Печь для спекания полупроводниковой керамики широко применяется в таких областях, как электронная керамика и оксидные мишени.
Например, в области электронной керамики она может использоваться для высокотемпературного спекания керамических заготовок (таких как оксид алюминия, нитрид алюминия) для формирования высокопрочных керамических компонентов. В области оксидных мишеней она позволяет, в защитной атмосфере водорода, предотвращать окисление мишеней при высоких температурах, повышая их плотность и эффективность спекания.
1. Рабочая температура: 2400 °C.
2. Используется цифровая программируемая интеллектуальная система контроля температуры, которая автоматически и с высокой точностью выполняет процессы измерения и регулирования температуры. Система может нагреваться по заданной температурной кривой и сохранять до двадцати различных технологических кривых нагрева, в сумме состоящих из 400 сегментов.
3. Применяется система охлаждения чистой водой; цифровая система мониторинга расхода; для автоматического переключения печи используются высокопроизводительные контакторы средней частоты; комплексная система автоматического управления и защиты PLC для воды, электричества и газа.
| Модель | CX-SCSF300V | CX-SCSF800V | CX-SCSF1200V | CX-SCSF1500V | CX-SCSF1600V | CX-SCSF2000V |
| Рабочая температура | 2400°C | |||||
| Размеры (мм) | Φ200×300 | Φ400×800 | Φ500×1200 | Φ600×1500 | Φ600×1600 | Φ600×2000 |
| Максимальный объем (л) | 9 | 100 | 235 | 452 | 452 | 565 |
| Равномерность температуры | ±10°C | |||||
| (ΔT 1000°C - 2400°C) | 15°C/мин | |||||
| Максимальное повышение температуры | 70 KW | 120 KW | 200 KW | 260 KW | 300 KW | 500 KW |
| Мощность нагрева | 4000 Hz | 2500 Hz | 1500 Hz | 1000 Hz | 1000 Hz | 900 Hz |
| Частота | IGBT или SCR (на выбор заказчика) | |||||
| Метод управления | 0,2 мбар | |||||
| Максимальный вакуум | 5×10⁻⁵ мбар | |||||
| Дополнительный вакуум (CEDRT)* | 0,01 мбар/час | |||||
| Карта повышения давления в автономном режиме | Высокий вакуум (опционально)/Вакуум/Инертный газ (Ar или N₂) | |||||
| Рабочая атмосфера | 1,5 бар (абсолютное давление) | |||||
| Давление охлаждающего газа | 3P, 380 В, 50 Гц/60 Гц | |||||
| Источник питания | 1–2 бар | |||||
| Давление охлаждающей воды | ≤28 °C | |||||
| Модель | CX-SCSF300HC | CX-SCSF400HC | CX-SCSF500HC | CX-SCSF600HC | CX-SCSF700HC | CX-SCSF900HC |
| Рабочая температура | 2400°C | |||||
| Размеры (мм) | 300×300×600 | 400×400×800 | 500×500×1200 | 600×600×1500 | 700×700×1600 | 900×900×2000 |
| Максимальный объем (л) | 54 | 128 | 300 | 540 | 784 | 1620 |
| Равномерность температуры | ±10°C | |||||
| (ΔT 1000°C - 2400°C) | 15°C/мин | |||||
| Максимальное повышение температуры | 70 KW | 120 KW | 200 KW | 260 KW | 300 KW | 500 KW |
| Мощность нагрева | 4000 Hz | 2500 Hz | 1500 Hz | 1000 Hz | 1000 Hz | 900 Hz |
| Частота | IGBT или SCR (на выбор заказчика) | |||||
| Метод управления | 0,2 мбар | |||||
| Максимальный вакуум | 5×10⁻⁵ мбар | |||||
| Дополнительный вакуум (CEDRT)* | 0,01 мбар/час | |||||
| Карта повышения давления в автономном режиме | Высокий вакуум (опционально)/Вакуум/Инертный газ (Ar или N₂) | |||||
| Рабочая атмосфера | 1,5 бар (абсолютное давление) | |||||
| Давление охлаждающего газа | 3P, 380 В, 50 Гц/60 Гц | |||||
| Источник питания | 1–2 бар | |||||
| Давление охлаждающей воды | ≤28 °C | |||||