
Печь для CVD-осаждения на подложках из карбида кремния — это высокотехнологичное термическое оборудование, специально разработанное для гомоэпитаксиального выращивания полупроводниковых подложек SiC третьего поколения.
Печь для CVD-осаждения на подложках из карбида кремния — это высокотехнологичное термическое оборудование, специально разработанное для гомоэпитаксиального выращивания полупроводниковых подложек SiC третьего поколения. Ее основная функция — осаждение высококачественных эпитаксиальных слоев SiC (толщиной 1–100 мкм) на поверхности монокристаллических подложек 4H/6H-SiC. Она подходит для таких применений, как силовые устройства (MOSFET, IGBT) и радиочастотные устройства, и обладает ключевыми характеристиками, такими как высокотемпературный точный контроль температуры (1500–1700 ℃), ламинарный воздушный поток и сверхнизкое содержание примесей. Это один из ключевых элементов оборудования в цепочке производства SiC.
- Силовые полупроводники: инверторы для электромобилей, фотоэлектрические инверторы, промышленные источники питания (SiC MOSFET/IGBT)
- Радиочастотные устройства: базовые станции 5G, спутниковая связь (SiC HEMT)
- Новые источники энергии: зарядные станции, системы хранения энергии
- Аэрокосмическая отрасль: высоконадежные силовые модули
| Номер модели | CX-CVD50/100HR | CX-CVD60/18HR |
| Расчетная температура | 1200°C | 1200°C |
| Диаметр*Высота (мм) | ⌀500*1000mm | ⌀600*1600 |
| Максимальная грузоподъемность (л) | 196 л | 452л |
| Равномерность температуры (ΔT от 1000°C до 2200°C) | ≤±5°C | ≤±5°C |
| Точность регулирования температуры | ±1°C | ±1°C |
| Измерение температуры | Полный диапазон измерения температуры от комнатной температуры до 1700°C | Полный диапазон измерения температуры от комнатной температуры до 1700°C |
| Максимальный вакуум (CEDRT)* | 1 Па | 1 Па |
| Скорость повышения давления | 2 Па/ч | 2 Па/ч |
| Давление охлаждающей воды | 1,5–2,5 бар | 1,5–2,5 бар |
| Температура охлаждающей воды | ≤28°C | ≤28°C |